BSZ900N20NS3GATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ900N20NS3GATMA1 | BSZ900N20NS3GATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ900N20NS3GATMA1

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Artikelnummer	BSZ900N20NS3GATMA1
LIXINC Part #	BSZ900N20NS3GATMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSZ900N20NS3GATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BSZ900N20NS3GATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BSZ900N20NS3GATMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	15.2A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 30µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	11.6 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	920 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	62.5W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TSDSON-8
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN

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