TK31V60W5,LVQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK31V60W5,LVQ

TK31V60W5,LVQ

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Artikelnummer	TK31V60W5,LVQ
LIXINC Part #	TK31V60W5,LVQ
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TK31V60W5,LVQ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TK31V60W5,LVQ Spezifikationen

Artikelnummer:	TK31V60W5,LVQ
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	DTMOSIV
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	30.8A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	109mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	105 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3000 pF @ 300 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	240W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	4-DFN-EP (8x8)
Paket / Koffer:	4-VSFN Exposed Pad