STB80NF55L-08-1 | STMicroelectronics STB80NF55L-08-1 | STB80NF55L-08-1 Inventory, Best Pricing

STB80NF55L-08-1

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Artikelnummer	STB80NF55L-08-1
LIXINC Part #	STB80NF55L-08-1
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STB80NF55L-08-1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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STB80NF55L-08-1 Spezifikationen

Artikelnummer:	STB80NF55L-08-1
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	STripFET™ II
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	55 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	80A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	100 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4350 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	300W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	I2PAK
Paket / Koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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