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IRFD220

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Artikelnummer	IRFD220
LIXINC Part #	IRFD220
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	0.8A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRFD220 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRFD220 Spezifikationen

Artikelnummer:	IRFD220
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	800mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	800mOhm @ 480mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	260 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paket / Koffer:	4-DIP (0.300", 7.62mm)