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IRF6714MTRPBF

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Artikelnummer	IRF6714MTRPBF
LIXINC Part #	IRF6714MTRPBF
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRF6714MTRPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

IRF6714MTRPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRF6714MTRPBF
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	HEXFET®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	25 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	29A (Ta), 166A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	2.1mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	44 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3.89 pF @ 13 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DIRECTFET™ MX
Paket / Koffer:	DirectFET™ Isometric MX