HUF76629D3ST | Rochester Electronics HUF76629D3ST | HUF76629D3ST Inventory, Best Pricing

HUF76629D3ST

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	HUF76629D3ST
LIXINC Part #	HUF76629D3ST
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	HUF76629D3ST PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

HUF76629D3ST Spezifikationen

Artikelnummer:	HUF76629D3ST
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	UltraFET™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	20A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	52mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vgs (max):	±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1.285 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	110W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-252AA
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63