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BSH111BKR

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Artikelnummer	BSH111BKR
LIXINC Part #	BSH111BKR
Hersteller	Nexperia
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSH111BKR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

BSH111BKR Spezifikationen

Artikelnummer:	BSH111BKR
Marke:	Nexperia
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Nexperia
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	55 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	210mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	4Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	0.5 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	30 pF @ 30 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	302mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-236AB
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3