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BSN20,215

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Artikelnummer	BSN20,215
LIXINC Part #	BSN20,215
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 50V 173MA TO236AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSN20,215 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BSN20,215 Spezifikationen

Artikelnummer:	BSN20,215
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	TrenchMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	50 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	173mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	15Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	25 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	830mW (Tc)
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-236AB
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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