BSP322PH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSP322PH6327XTSA1 | BSP322PH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSP322PH6327XTSA1

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Artikelnummer	BSP322PH6327XTSA1
LIXINC Part #	BSP322PH6327XTSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSP322PH6327XTSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BSP322PH6327XTSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BSP322PH6327XTSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	SIPMOS®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	1A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	800mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 380µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	16.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	372 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.8W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-SOT223-4
Paket / Koffer:	TO-261-4, TO-261AA