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IRF630NPBF

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Artikelnummer	IRF630NPBF
LIXINC Part #	IRF630NPBF
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRF630NPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRF630NPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRF630NPBF
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	9.3A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	300mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	575 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	82W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220AB
Paket / Koffer:	TO-220-3