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Artikelnummer | SI2319DDS-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI2319DDS-T1-GE3 |
Hersteller | Vishay / Siliconix |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | SI2319DDS-T1-GE3 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
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Artikelnummer: | SI2319DDS-T1-GE3 |
Marke: | Vishay / Siliconix |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
Serie: | TrenchFET® Gen III |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | P-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 40 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 4.5V, 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 75mOhm @ 2.7A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.5V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 19 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 650 pF @ 20 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / Koffer: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Auf Lager | 17220 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.52000 | $0.52 |
3000 | $0.20274 | $608.22 |
6000 | $0.19038 | $1142.28 |
15000 | $0.17803 | $2670.45 |
30000 | $0.16937 | $5081.1 |
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