BSS223PWH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSS223PWH6327XTSA1 | BSS223PWH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSS223PWH6327XTSA1

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Artikelnummer	BSS223PWH6327XTSA1
LIXINC Part #	BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSS223PWH6327XTSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 09 - Jul 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BSS223PWH6327XTSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BSS223PWH6327XTSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	390mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	2.5V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 1.5µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	0.62 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	56 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	250mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-SOT323-3
Paket / Koffer:	SC-70, SOT-323