BSB044N08NN3GXUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSB044N08NN3GXUMA1 | BSB044N08NN3GXUMA1 Inventory, Best Pricing

BSB044N08NN3GXUMA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	BSB044N08NN3GXUMA1
LIXINC Part #	BSB044N08NN3GXUMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSB044N08NN3GXUMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

BSB044N08NN3GXUMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BSB044N08NN3GXUMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	80 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	18A (Ta), 90A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 97µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	73 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	5700 pF @ 40 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.2W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / Koffer:	3-WDSON