ATP212-TL-H | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor ATP212-TL-H

ATP212-TL-H

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Artikelnummer	ATP212-TL-H
LIXINC Part #	ATP212-TL-H
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	ATP212-TL-H PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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ATP212-TL-H Spezifikationen

Artikelnummer:	ATP212-TL-H
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	35A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	34.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1820 pF @ 20 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	40W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	ATPAK
Paket / Koffer:	ATPAK (2 leads+tab)

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