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NDP6020P

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Artikelnummer	NDP6020P
LIXINC Part #	NDP6020P
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NDP6020P PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NDP6020P Spezifikationen

Artikelnummer:	NDP6020P
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	24A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	50mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	35 nC @ 5 V
vgs (max):	±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1.59 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	60W (Tc)
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3
Paket / Koffer:	TO-220-3

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