NTB5605PT4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTB5605PT4G

NTB5605PT4G

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Artikelnummer	NTB5605PT4G
LIXINC Part #	NTB5605PT4G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NTB5605PT4G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NTB5605PT4G Spezifikationen

Artikelnummer:	NTB5605PT4G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	18.5A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	5V
rds auf (max) @ id, vgs:	140mOhm @ 8.5A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1190 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	88W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB