NVD5C486NT4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVD5C486NT4G

NVD5C486NT4G

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	NVD5C486NT4G
LIXINC Part #	NVD5C486NT4G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 9.2A/23A DPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NVD5C486NT4G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

NVD5C486NT4G Spezifikationen

Artikelnummer:	NVD5C486NT4G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	9.2A (Ta), 23A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	17.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 20µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	380 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.9W (Ta), 18.3W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63