IPP80N06S208AKSA2 | Rochester Electronics IPP80N06S208AKSA2 | IPP80N06S208AKSA2 Inventory, Best Pricing

IPP80N06S208AKSA2

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IPP80N06S208AKSA2
LIXINC Part #	IPP80N06S208AKSA2
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPP80N06S208AKSA2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IPP80N06S208AKSA2 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPP80N06S208AKSA2
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	55 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	80A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 150µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	96 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2.86 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	215W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO220-3-1
Paket / Koffer:	TO-220-3