RFD3055LESM | Rochester Electronics RFD3055LESM | RFD3055LESM Inventory, Best Pricing

RFD3055LESM

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	RFD3055LESM
LIXINC Part #	RFD3055LESM
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RFD3055LESM PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 11 - Oct 15 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

RFD3055LESM Spezifikationen

Artikelnummer:	RFD3055LESM
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	11A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	5V
rds auf (max) @ id, vgs:	107mOhm @ 8A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	11.3 nC @ 10 V
vgs (max):	±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	350 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	38W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-252AA
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63