IPB027N10N3GATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB027N10N3GATMA1 | IPB027N10N3GATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB027N10N3GATMA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IPB027N10N3GATMA1
LIXINC Part #	IPB027N10N3GATMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPB027N10N3GATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IPB027N10N3GATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPB027N10N3GATMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	120A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	2.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 275µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	206 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	14800 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	300W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D²PAK (TO-263AB)
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB