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STFI6N65K3

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Artikelnummer	STFI6N65K3
LIXINC Part #	STFI6N65K3
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STFI6N65K3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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STFI6N65K3 Spezifikationen

Artikelnummer:	STFI6N65K3
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	SuperMESH3™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	5.4A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.3Ohm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	33 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	880 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	30W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	I2PAKFP (TO-281)
Paket / Koffer:	TO-262-3 Full Pack, I²Pak