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EPC2012C

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Artikelnummer	EPC2012C
LIXINC Part #	EPC2012C
Hersteller	EPC
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	EPC2012C PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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EPC2012C Spezifikationen

Artikelnummer:	EPC2012C
Marke:	EPC
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	EPC
Serie:	eGaN®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	5A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	5V
rds auf (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	1.3 nC @ 5 V
vgs (max):	+6V, -4V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	140 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	Die Outline (4-Solder Bar)
Paket / Koffer:	Die