IPZ60R060C7XKSA1

IPZ60R060C7XKSA1
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Artikelnummer IPZ60R060C7XKSA1
LIXINC Part # IPZ60R060C7XKSA1
Hersteller Rochester Electronics
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle IPZ60R060C7XKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPZ60R060C7XKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:IPZ60R060C7XKSA1
Marke:Rochester Electronics
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:Rochester Electronics
Serie:CoolMOS™ C7
Paket:Bulk
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:35A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:60mOhm @ 15.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 800µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:68 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2.85 pF @ 400 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):162W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO247-4
Paket / Koffer:TO-247-4

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