AOT8N65 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AOT8N65

AOT8N65

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	AOT8N65
LIXINC Part #	AOT8N65
Hersteller	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	AOT8N65 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

AOT8N65 Spezifikationen

Artikelnummer:	AOT8N65
Marke:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	8A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.15Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	28 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1400 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	208W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220
Paket / Koffer:	TO-220-3