HN1B04FU-GR,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

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Artikelnummer	HN1B04FU-GR,LF
LIXINC Part #	HN1B04FU-GR,LF
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays
Beschreibung	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	HN1B04FU-GR,LF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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HN1B04FU-GR,LF Spezifikationen

Artikelnummer:	HN1B04FU-GR,LF
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN, PNP
Strom - Kollektor (ic) (max):	150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 2mA, 6V
Leistung max:	200mW
Frequenz - Übergang:	150MHz
Betriebstemperatur:	125°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten:	US6

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