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2N5550

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Artikelnummer	2N5550
LIXINC Part #	2N5550
Hersteller	NTE Electronics, Inc.
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	T-NPN SI- HIV AMP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2N5550 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2N5550 Spezifikationen

Artikelnummer:	2N5550
Marke:	NTE Electronics, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	NTE Electronics, Inc.
Serie:	-
Paket:	Bag
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	600 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	140 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	250mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	60 @ 10mA, 5V
Leistung max:	625 mW
Frequenz - Übergang:	300MHz
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-92-3

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