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NJVMJD112T4G

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Artikelnummer	NJVMJD112T4G
LIXINC Part #	NJVMJD112T4G
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, NP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NJVMJD112T4G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NJVMJD112T4G Spezifikationen

Artikelnummer:	NJVMJD112T4G
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max):	2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	100 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	20µA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 2A, 3V
Leistung max:	20 W
Frequenz - Übergang:	25MHz
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK

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