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FJP3307DTU

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Artikelnummer	FJP3307DTU
LIXINC Part #	FJP3307DTU
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FJP3307DTU PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 05 - Oct 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FJP3307DTU Spezifikationen

Artikelnummer:	FJP3307DTU
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	8 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	400 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	3V @ 2A, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	-
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	8 @ 2A, 5V
Leistung max:	80 W
Frequenz - Übergang:	-
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3

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