NJVMJD117T4G

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Artikelnummer NJVMJD117T4G
LIXINC Part # NJVMJD117T4G
Hersteller Rochester Electronics
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, PN
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle NJVMJD117T4G PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NJVMJD117T4G Spezifikationen

Artikelnummer:NJVMJD117T4G
Marke:Rochester Electronics
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:Rochester Electronics
Serie:-
Paket:Bulk
Teilstatus:Active
Transistortyp:PNP - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max):2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):100 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max):20µA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 2A, 3V
Leistung max:1.75 W
Frequenz - Übergang:25MHz
Betriebstemperatur:-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:DPAK

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