FJI5603DTU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FJI5603DTU

FJI5603DTU

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Artikelnummer	FJI5603DTU
LIXINC Part #	FJI5603DTU
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS NPN 800V 3A I2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FJI5603DTU PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 25 - Oct 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FJI5603DTU Spezifikationen

Artikelnummer:	FJI5603DTU
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	3 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	800 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	2.5V @ 200mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100µA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	20 @ 400mA, 3V
Leistung max:	100 W
Frequenz - Übergang:	5MHz
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten:	I²PAK (TO-262)

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