MJD31C1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MJD31C1G

MJD31C1G

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Artikelnummer	MJD31C1G
LIXINC Part #	MJD31C1G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS NPN 100V 3A IPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MJD31C1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MJD31C1G Spezifikationen

Artikelnummer:	MJD31C1G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	3 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	100 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	1.2V @ 375mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	50µA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	10 @ 3A, 4V
Leistung max:	1.56 W
Frequenz - Übergang:	3MHz
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket des Lieferanten:	I-PAK

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