SI8275DBD-IS1R | Silicon Labs SI8275DBD-IS1R | SI8275DBD-IS1R Inventory, Best Pricing

SI8275DBD-IS1R

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Artikelnummer	SI8275DBD-IS1R
LIXINC Part #	SI8275DBD-IS1R
Hersteller	Silicon Labs
Kategorie	Isolatoren › Isolatoren - Gate-Treiber
Beschreibung	4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SI8275DBD-IS1R PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 19 - Oct 23 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SI8275DBD-IS1R Spezifikationen

Artikelnummer:	SI8275DBD-IS1R
Marke:	Silicon Labs
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Isolatoren
Unterkategorie:	Isolatoren - Gate-Treiber
Hersteller:	Silicon Labs
Serie:	Automotive, AEC-Q100
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Technologie:	Capacitive Coupling
Anzahl der Kanäle:	2
Spannung - Isolierung:	2500Vrms
Störfestigkeit gegen Gleichtakttransienten (min):	200kV/µs
Laufzeitverzögerung tplh / tphl (max):	75ns, 75ns
Impulsbreitenverzerrung (max.):	8ns
Anstiegs- / Abfallzeit (typ):	10.5ns, 13.3ns
Strom - Ausgang hoch, niedrig:	1.8A, 4A
Strom - Spitzenleistung:	4A
Spannung - vorwärts (vf) (typ):	-
Strom - Gleichstrom vorwärts (wenn) (max):	-
Spannung - Ausgangsversorgung:	4.2V ~ 30V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 125°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	16-SOIC
Zulassungsstelle:	CQC, CSA, UL, VDE

SI8275DB-IM1	4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR	1386 Mehr auf Bestellung
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