MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E | Micron Technology MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Inventory, Best Pricing

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

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Artikelnummer	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
LIXINC Part #	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Spezifikationen

Artikelnummer:	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	FLASH, RAM
Technologie:	FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Speichergröße:	4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	533 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.8V
Betriebstemperatur:	-25°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	162-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	162-VFBGA (11.5x13)

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