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MT41J512M8THD-187E:D

MT41J512M8THD-187E:D
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Artikelnummer MT41J512M8THD-187E:D
LIXINC Part # MT41J512M8THD-187E:D
Hersteller Micron Technology
Kategorie integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle MT41J512M8THD-187E:D PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT41J512M8THD-187E:D Spezifikationen

Artikelnummer:MT41J512M8THD-187E:D
Marke:Micron Technology
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:Speicher
Hersteller:Micron Technology
Serie:-
Paket:Tray
Teilstatus:Obsolete
Speichertyp:Volatile
Speicherformat:DRAM
Technologie:SDRAM - DDR3
Speichergröße:4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Taktfrequenz:533 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
Zugriffszeit:13.125 ns
Spannungsversorgung:1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur:0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:78-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:78-FBGA (9x11.5)

MT41J512M8THD-187E:D Unterlagen

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