MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B | Micron Technology MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B | MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B Inventory, Best Pricing

MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B

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Artikelnummer	MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B
LIXINC Part #	MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 16GBIT 2133MHZ FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B Spezifikationen

Artikelnummer:	MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße:	16Gb (256M x 64)
Speicherschnittstelle:	-
Taktfrequenz:	2.133 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.1V
Betriebstemperatur:	-30°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart:	-
Paket / Koffer:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-

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