MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E | Micron Technology MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Inventory, Best Pricing

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
LIXINC Part #	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 32GBIT 2133MHZ FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Spezifikationen

Artikelnummer:	MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Box
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße:	32Gb (512M x 64)
Speicherschnittstelle:	-
Taktfrequenz:	2.133 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.1V
Betriebstemperatur:	-30°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart:	-
Paket / Koffer:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-

Warme Tipps: Bitte füllen Sie das folgende Formular aus. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Lixinc bietet Ihnen die wettbewerbsfähigsten Preise, bitte beachten Sie die Angebote.

[email protected]

LIXINC

Nachricht senden

Bitte zögern Sie nicht, uns für Details zu kontaktieren.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015