MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR | Micron Technology MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR | MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR Inventory, Best Pricing

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR

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Artikelnummer	MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
LIXINC Part #	MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 32GBIT 1600MHZ 272WFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 27 - Oct 31 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR Spezifikationen

Artikelnummer:	MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße:	32Gb (512M x 64)
Speicherschnittstelle:	-
Taktfrequenz:	1.6 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.1V
Betriebstemperatur:	-30°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	272-WFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	272-WFBGA (15x15)

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