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EDFP112A3PB-GDTJ-F-R

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Artikelnummer	EDFP112A3PB-GDTJ-F-R
LIXINC Part #	EDFP112A3PB-GDTJ-F-R
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 24GBIT PARALLEL 800MHZ
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	EDFP112A3PB-GDTJ-F-R PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 26 - Oct 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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EDFP112A3PB-GDTJ-F-R Spezifikationen

Artikelnummer:	EDFP112A3PB-GDTJ-F-R
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR3
Speichergröße:	24Gb (192M x 128)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	800 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur:	-30°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart:	-
Paket / Koffer:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-

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