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Artikelnummer | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 |
LIXINC Part # | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 |
Hersteller | Fujitsu Electronics America, Inc. |
Kategorie | integrierte Schaltkreise › Speicher |
Beschreibung | IC FRAM 256KBIT PARALLEL |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 26 - Oct 30 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 |
Marke: | Fujitsu Electronics America, Inc. |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | integrierte Schaltkreise |
Unterkategorie: | Speicher |
Hersteller: | Fujitsu Electronics America, Inc. |
Serie: | - |
Paket: | Tape & Reel (TR) |
Teilstatus: | Obsolete |
Speichertyp: | Non-Volatile |
Speicherformat: | FRAM |
Technologie: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Speichergröße: | 256Kb (32K x 8) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Taktfrequenz: | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: | 150ns |
Zugriffszeit: | 150 ns |
Spannungsversorgung: | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | - |
Paket / Koffer: | - |
Gerätepaket des Lieferanten: | - |
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Auf Lager | 10985 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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