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MB85R256GPF-G-BND-ERE1

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Artikelnummer	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
LIXINC Part #	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Hersteller	Fujitsu Electronics America, Inc.
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC FRAM 256KBIT PARALLEL
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MB85R256GPF-G-BND-ERE1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 26 - Oct 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Spezifikationen

Artikelnummer:	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Marke:	Fujitsu Electronics America, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Fujitsu Electronics America, Inc.
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	FRAM
Technologie:	FRAM (Ferroelectric RAM)
Speichergröße:	256Kb (32K x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	150ns
Zugriffszeit:	150 ns
Spannungsversorgung:	2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	-
Paket / Koffer:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-

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