MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR | Micron Technology MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR | MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR Inventory, Best Pricing

MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR

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Artikelnummer	MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR
LIXINC Part #	MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 32GBIT 933MHZ 256FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 20 - Sep 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR Spezifikationen

Artikelnummer:	MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR3
Speichergröße:	32Gb (512M x 64)
Speicherschnittstelle:	-
Taktfrequenz:	933 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.2V
Betriebstemperatur:	-30°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	256-WFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	256-FBGA (14x14)

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