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MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B

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Artikelnummer	MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
LIXINC Part #	MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 27 - Oct 31 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B Spezifikationen

Artikelnummer:	MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	FLASH
Technologie:	FLASH - NAND
Speichergröße:	3Tb (384G x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	333 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	2.5V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	272-LFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	-

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