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Artikelnummer | ECF840AAACN-C1-Y3 |
LIXINC Part # | ECF840AAACN-C1-Y3 |
Hersteller | Micron Technology |
Kategorie | integrierte Schaltkreise › Speicher |
Beschreibung | IC DRAM 8GBIT PARALLEL |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | ECF840AAACN-C1-Y3 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 27 - Oct 31 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | ECF840AAACN-C1-Y3 |
Marke: | Micron Technology |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | integrierte Schaltkreise |
Unterkategorie: | Speicher |
Hersteller: | Micron Technology |
Serie: | - |
Paket: | Bulk |
Teilstatus: | Obsolete |
Speichertyp: | Volatile |
Speicherformat: | DRAM |
Technologie: | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Speichergröße: | 8Gb (512M x 16) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Taktfrequenz: | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: | - |
Zugriffszeit: | - |
Spannungsversorgung: | 1.14V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur: | - |
Befestigungsart: | - |
Paket / Koffer: | - |
Gerätepaket des Lieferanten: | - |
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Auf Lager | 10869 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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