MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E | Micron Technology MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E | MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E Inventory, Best Pricing

MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E

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Artikelnummer	MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E
LIXINC Part #	MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 432VFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 26 - Oct 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E Spezifikationen

Artikelnummer:	MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße:	32Gb (512M x 64)
Speicherschnittstelle:	-
Taktfrequenz:	2.133 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.1V
Betriebstemperatur:	-30°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	432-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	432-VFBGA (15x15)

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