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MB85RS2MLYPN-G-AWEWE1

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Artikelnummer	MB85RS2MLYPN-G-AWEWE1
LIXINC Part #	MB85RS2MLYPN-G-AWEWE1
Hersteller	Fujitsu Electronics America, Inc.
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8DFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MB85RS2MLYPN-G-AWEWE1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MB85RS2MLYPN-G-AWEWE1 Spezifikationen

Artikelnummer:	MB85RS2MLYPN-G-AWEWE1
Marke:	Fujitsu Electronics America, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Fujitsu Electronics America, Inc.
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	FRAM
Technologie:	FRAM (Ferroelectric RAM)
Speichergröße:	2Mb (256K x 8)
Speicherschnittstelle:	SPI
Taktfrequenz:	50 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 125°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-VDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten:	8-DFN (5x6)

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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