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EM6A9160TSC-4G

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Artikelnummer	EM6A9160TSC-4G
LIXINC Part #	EM6A9160TSC-4G
Hersteller	Etron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	EM6A9160TSC-4G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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EM6A9160TSC-4G Spezifikationen

Artikelnummer:	EM6A9160TSC-4G
Marke:	Etron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Etron Technology
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - DDR
Speichergröße:	128Mb (8M x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	250 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	12ns
Zugriffszeit:	700 ps
Spannungsversorgung:	2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	66-TSOP II

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