MT41K512M8V00HWC1 | Micron Technology MT41K512M8V00HWC1 | MT41K512M8V00HWC1 Inventory, Best Pricing

MT41K512M8V00HWC1

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Artikelnummer	MT41K512M8V00HWC1
LIXINC Part #	MT41K512M8V00HWC1
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT41K512M8V00HWC1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 18 - Oct 22 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MT41K512M8V00HWC1 Spezifikationen

Artikelnummer:	MT41K512M8V00HWC1
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - DDR3L
Speichergröße:	4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart:	-
Paket / Koffer:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-

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