MT53E512M64D4NK-053 WT:D

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Artikelnummer MT53E512M64D4NK-053 WT:D
LIXINC Part # MT53E512M64D4NK-053 WT:D
Hersteller Micron Technology
Kategorie integrierte SchaltkreiseSpeicher
Beschreibung IC DRAM LPDDR4 FBGA
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle MT53E512M64D4NK-053 WT:D PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 29 - Nov 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT53E512M64D4NK-053 WT:D Spezifikationen

Artikelnummer:MT53E512M64D4NK-053 WT:D
Marke:Micron Technology
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:Speicher
Hersteller:Micron Technology
Serie:-
Paket:Tray
Teilstatus:Active
Speichertyp:Volatile
Speicherformat:DRAM
Technologie:SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße:32Gb (512M x 64)
Speicherschnittstelle:-
Taktfrequenz:1.866 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
Zugriffszeit:-
Spannungsversorgung:1.1V
Betriebstemperatur:-30°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart:-
Paket / Koffer:-
Gerätepaket des Lieferanten:-

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