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6116LA35TDB

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Artikelnummer	6116LA35TDB
LIXINC Part #	6116LA35TDB
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	6116LA35TDB PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Aug 15 - Aug 19 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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6116LA35TDB Spezifikationen

Artikelnummer:	6116LA35TDB
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Asynchronous
Speichergröße:	16Kb (2K x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	35ns
Zugriffszeit:	35 ns
Spannungsversorgung:	4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 125°C (TA)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	24-CDIP (0.300", 7.62mm)
Gerätepaket des Lieferanten:	24-CDIP

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$16.53300	$16.533
300	$14.52245	$4356.735

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