Nur als Referenz
Artikelnummer | IS43DR16128B-3DBLI |
LIXINC Part # | IS43DR16128B-3DBLI |
Hersteller | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Kategorie | integrierte Schaltkreise › Speicher |
Beschreibung | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IS43DR16128B-3DBLI PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | IS43DR16128B-3DBLI |
Marke: | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | integrierte Schaltkreise |
Unterkategorie: | Speicher |
Hersteller: | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Serie: | - |
Paket: | Tray |
Teilstatus: | Active |
Speichertyp: | Volatile |
Speicherformat: | DRAM |
Technologie: | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße: | 2Gb (128M x 16) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Taktfrequenz: | 333 MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: | 15ns |
Zugriffszeit: | 450 ps |
Spannungsversorgung: | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | 84-TFBGA |
Gerätepaket des Lieferanten: | 84-TWBGA (10.5x13) |
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Auf Lager | 10982 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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