AS4C512M8D3-12BIN

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Artikelnummer	AS4C512M8D3-12BIN
LIXINC Part #	AS4C512M8D3-12BIN
Hersteller	Alliance Memory, Inc.
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	AS4C512M8D3-12BIN PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Aug 13 - Aug 17 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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AS4C512M8D3-12BIN Spezifikationen

Artikelnummer:	AS4C512M8D3-12BIN
Marke:	Alliance Memory, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Alliance Memory, Inc.
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Discontinued at Digi-Key
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - DDR3
Speichergröße:	4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	800 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	15ns
Zugriffszeit:	20 ns
Spannungsversorgung:	1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	78-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	78-FBGA (9x10.5)

AS4C512M8D3-12BIN Unterlagen

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